江苏新广联半导体有限公司 main business:电子器件的生产与销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务，但国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2014年09月04日
- 尤小虎
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- 2014年09月04日 至 永久
- 无锡市锡山区市场监督管理局
- 2016年05月05日
- 无锡市锡山经济技术开发区团结北路18号
- 电子器件的生产与销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务，但国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 江苏新广联半导体有限公司 | www.xgl.com |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106206903A | 一种具有高可靠性反射电极结构的LED芯片的制作方法 | 2016.12.07 | 本发明提供一种具有高可靠性反射电极结构的LED芯片的制作方法，方法包括，在蓝宝石衬底上依次生长N型G |
| 2 | CN106252477A | 一种复合全反射镜的倒装LED芯片结构及制作方法 | 2016.12.21 | 本发明提供一种复合全反射镜的倒装LED芯片结构及制作方法，其步骤如下：在蓝宝石衬底上依次生长N型Ga |
| 3 | CN106449931A | 一种LED倒装芯片的钝化沉积方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种LED倒装芯片的钝化沉积方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN、量子阱和 |
| 4 | CN106444250A | 3LED微显示投影模块 | 2017.02.22 | 本发明涉及一种3LED微显示投影模块，其特征是：包括蓝光LED微显示模块、绿光LED微显示模块和红光 |
| 5 | CN106409993A | 具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法，包括衬底和外延层，所述外延 |
| 6 | CN106409991A | 一种PECVD沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种PECVD沉积DBR的倒装LED芯片的制作方法，其步骤如下：在蓝宝石衬底上依次生长N型 |
| 7 | CN106356379A | GaN基微显示芯片结构及制作方法 | 2017.01.25 | 本发明涉及一种GaN基微显示芯片结构及制作方法，包括透明的衬底，在衬底上沉积N‑GaN层，在N‑Ga |
| 8 | CN106159075A | 一种具有低热阻绝缘层结构的倒装LED芯片及制作方法 | 2016.11.23 | 本发明提供一种具有低热阻绝缘层结构的倒装LED芯片及制作方法，方法包括，在蓝宝石衬底上依次生长N型G |
| 9 | CN105870006A | GaN基材料的侧壁加工工艺 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割， |
| 10 | CN205177883U | 基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管 | 2016.04.20 | 本实用新型涉及一种基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管，包括衬底，衬底上设置多个发光单元，发光单元包 |
| 11 | CN105390583A | 白光倒装芯片及其制备方法 | 2016.03.09 | 本发明涉及一种白光倒装芯片及其制备方法，包括衬底，其特征是：在所述衬底的下表面设置GaN外延层，在G |
| 12 | CN105374923A | 五面出光的LED封装结构及其制备方法 | 2016.03.02 | 本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，包括倒装芯片，倒装芯片的正面具有芯片焊盘；其特征 |
| 13 | CN105355747A | 蓝宝石衬底单电极LED芯片结构及其制备方法 | 2016.02.24 | 本发明涉及一种蓝宝石衬底单电极LED芯片结构及其制备方法，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长外延结构 |
| 14 | CN105353289A | LED芯片结温测试方法 | 2016.02.24 | 本发明涉及一种LED芯片结温测试方法，其特征是，包括以下步骤：（1）建模：LED芯片在驱动电流下分别 |
| 15 | CN105336275A | 高密RGB倒装LED显示屏封装结构及制造方法 | 2016.02.17 | 本发明涉及一种高密RGB倒装LED显示屏封装结构及制造方法，包括PCB板，在PCB板上表面布置若干模 |
| 16 | CN105226075A | 高压发光二极管透明导电层的制造方法 | 2016.01.06 | 本发明涉及一种高压发光二极管透明导电层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：步骤1：采用GaN基LED |
| 17 | CN105206735A | 基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管 | 2015.12.30 | 本发明涉及一种基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管，包括衬底，衬底上设置多个发光单元，发光单元包括在 |
| 18 | CN204407351U | LED灯丝灯光源 | 2015.06.17 | 本实用新型涉及一种LED灯丝灯光源，包括蓝宝石衬底，其特征是：所述蓝宝石衬底的下表面涂布荧光胶，蓝宝 |
| 19 | CN204407353U | 用于GaN基LED的抗反射透明电极结构 | 2015.06.17 | 本实用新型涉及一种透明电极结构，尤其是一种用于GaN基LED的抗反射透明电极结构，属于半导体LED的 |
| 20 | CN204407352U | 高光抽取效率GaN基LED透明电极结构 | 2015.06.17 | 本实用新型涉及一种透明电极结构，尤其是一种高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，属于LED半导体器 |
| 21 | CN104681674A | GaN基高压直流LED绝缘隔离工艺 | 2015.06.03 | 本发明涉及一种GaN基高压直流LED绝缘隔离工艺，其包括如下步骤：a、提供生长有外延层的蓝宝石衬底， |
| 22 | CN104659180A | 高光抽取效率GaN基LED透明电极结构及制备方法 | 2015.05.27 | 本发明涉及一种透明电极结构及制备方法，尤其是一种高光抽取效率GaN基LED透明电极结构及制备方法，属 |
| 23 | CN104659179A | 用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法 | 2015.05.27 | 本发明涉及一种透明电极结构及其制备方法，尤其是一种用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法 |
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